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IXFT60N50P3

IXFT60N50P3

참조 용

부품 번호 IXFT60N50P3
PNEDA 부품 번호 IXFT60N50P3
설명 MOSFET N-CH 500V 60A TO268
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 5,490
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXFT60N50P3 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXFT60N50P3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXFT60N50P3, IXFT60N50P3 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 176.29 KB)
PDFIXFT60N50P3 데이터 시트 표지
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IXFT60N50P3 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™, Polar3™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs100mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs96nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds6250pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1040W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-268
패키지 / 케이스TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.9nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.3W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-223

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

IRFH4213DTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.35mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3520pF @ 13V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.6W (Ta), 96W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PQFN (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

BSR802NL6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 2.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 3.7A, 2.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

750mV @ 30µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.7nC @ 2.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1447pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-SC-59

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

CTLDM7003-M621 BK

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

280mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.764nC @ 4.5V

Vgs (최대)

12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

900mW (Ta)

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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제조업체

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

270A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

182nC @ 10V

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9140pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

375W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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