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IXFX24N90Q

IXFX24N90Q

참조 용

부품 번호 IXFX24N90Q
PNEDA 부품 번호 IXFX24N90Q
설명 MOSFET N-CH 900V 24A PLUS 247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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IXFX24N90Q 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXFX24N90Q
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXFX24N90Q, IXFX24N90Q 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 87.15 KB)
PDFIXFK24N90Q 데이터 시트 표지
IXFK24N90Q 데이터 시트 페이지 2

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IXFX24N90Q 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs450mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs170nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5900pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)500W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지PLUS247™-3
패키지 / 케이스TO-247-3

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

0.75mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

181nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12168pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.9W (Ta), 200W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

패키지 / 케이스

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Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

π-MOSVI

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.7V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9.1pF @ 3V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

VESM

패키지 / 케이스

SOT-723

IRF9540NSTRR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

117mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

97nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 140W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

APTM100UM65DAG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

145A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

78mOhm @ 72.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 20mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1068nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

28500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3250W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

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IXYS

제조업체

IXYS

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1Ohm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

160nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4700pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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