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IXFX44N55Q

IXFX44N55Q

참조 용

부품 번호 IXFX44N55Q
PNEDA 부품 번호 IXFX44N55Q
설명 MOSFET N-CH 550V 44A PLUS247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 2,160
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXFX44N55Q 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXFX44N55Q
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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IXFX44N55Q 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)550V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)44A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs120mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs190nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds6400pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)500W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지PLUS247™-3
패키지 / 케이스TO-247-3

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ON Semiconductor

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

380mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1945pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

200W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

SIR158DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET® Gen III

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4980pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8

제조업체

IXYS

시리즈

TrenchT2™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

120V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

110A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6570pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

517W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

FCB36N60NTM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

SupreMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

112nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4785pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

312W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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제조업체

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.2mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

87.8nC @ 5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13160pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

293W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

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