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IXFX55N50

IXFX55N50

참조 용

부품 번호 IXFX55N50
PNEDA 부품 번호 IXFX55N50
설명 MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 8,100
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IXFX55N50 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXFX55N50
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXFX55N50, IXFX55N50 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 94.63 KB)
PDFIXFX55N50 데이터 시트 표지
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IXFX55N50 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs80mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs330nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds9400pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)625W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지PLUS247™-3
패키지 / 케이스TO-247-3

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드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

34A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

88mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

57nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2500pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

63W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

ISOWATT-218FX

패키지 / 케이스

ISOWATT218FX

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Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.75mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs (최대)

+20V, -16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1765pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

31W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® ChipFet Single

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PowerPAK® ChipFET™ Single

NTMFS5844NLT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11.2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1460pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.7W (Ta), 107W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

패키지 / 케이스

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SUD50P04-40P-T4-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Ta), 8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.7V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1555pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.4W (Ta), 24W (Tc)

작동 온도

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

620V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 2.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

875pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

90W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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