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IXGA12N120A3

IXGA12N120A3

참조 용

부품 번호 IXGA12N120A3
PNEDA 부품 번호 IXGA12N120A3
설명 IGBT 1200V 22A 100W TO263
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 2,466
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 14 - 4월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGA12N120A3 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGA12N120A3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGA12N120A3, IXGA12N120A3 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 201.89 KB)
PDFIXGH12N120A3 데이터 시트 표지
IXGH12N120A3 데이터 시트 페이지 2 IXGH12N120A3 데이터 시트 페이지 3 IXGH12N120A3 데이터 시트 페이지 4 IXGH12N120A3 데이터 시트 페이지 5

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IXGA12N120A3 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX3™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)22A
전류-수집기 펄스 (Icm)60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3V @ 15V, 12A
전력-최대100W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지20.4nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263 (IXGA)

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IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

27A

전류-수집기 펄스 (Icm)

140A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

5.5V @ 15V, 75A

전력-최대

114W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

75nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

i4-Pac™-5 (3 Leads)

공급자 장치 패키지

ISOPLUS i4-PAC™

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

28A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 12A

전력-최대

63W

에너지 전환

150mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

32nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/70ns

테스트 조건

400V, 12A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUS220™

공급자 장치 패키지

ISOPLUS220™

IRG7CH50K10EF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 25A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/280ns

테스트 조건

600V, 35A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

APT45GP120BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

170A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 45A

전력-최대

625W

에너지 전환

900µJ (on), 904µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

185nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/102ns

테스트 조건

600V, 45A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 50A

전력-최대

300W

에너지 전환

1.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

110nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/200ns

테스트 조건

480V, 50A, 2.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

50ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

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