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IXGA12N60B

IXGA12N60B

참조 용

부품 번호 IXGA12N60B
PNEDA 부품 번호 IXGA12N60B
설명 IGBT 600V 24A 100W TO263AA
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 6,426
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 3 - 5월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGA12N60B 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGA12N60B
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGA12N60B, IXGA12N60B 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 71.06 KB)
PDFIXGP12N60B 데이터 시트 표지
IXGP12N60B 데이터 시트 페이지 2

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IXGA12N60B 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFAST™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)24A
전류-수집기 펄스 (Icm)48A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 12A
전력-최대100W
에너지 전환500µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지32nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C20ns/150ns
테스트 조건480V, 12A, 18Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263 (IXGA)

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전류-수집기 펄스 (Icm)

25A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.5V @ 10V, 3A

전력-최대

40W

에너지 전환

250µJ (on), 1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

12.5nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/600ns

테스트 조건

480V, 3A, 470Ohm, 10V

역 복구 시간 (trr)

234ns

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

IRG4PH20KPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

11A

전류-수집기 펄스 (Icm)

22A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4.3V @ 15V, 5A

전력-최대

60W

에너지 전환

450µJ (on), 440µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

28nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/93ns

테스트 조건

960V, 5A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

HGTG12N60C3D

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

24A

전류-수집기 펄스 (Icm)

96A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

전력-최대

104W

에너지 전환

380µJ (on), 900µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

48nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

APT40GP90B2DQ2G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

101A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 40A

전력-최대

543W

에너지 전환

795µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

145nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

14ns/90ns

테스트 조건

600V, 40A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

-

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

500A

전류-수집기 펄스 (Icm)

1200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 100A

전력-최대

1700W

에너지 전환

2.7mJ (on), 3.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

585nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

44ns/250ns

테스트 조건

480V, 100A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

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