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IXGH16N170AH1

IXGH16N170AH1

참조 용

부품 번호 IXGH16N170AH1
PNEDA 부품 번호 IXGH16N170AH1
설명 IGBT 1700V 16A 190W TO247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 2,196
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 14 - 4월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGH16N170AH1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGH16N170AH1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGH16N170AH1, IXGH16N170AH1 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 209.32 KB)
PDFIXGT16N170AH1 데이터 시트 표지
IXGT16N170AH1 데이터 시트 페이지 2 IXGT16N170AH1 데이터 시트 페이지 3 IXGT16N170AH1 데이터 시트 페이지 4 IXGT16N170AH1 데이터 시트 페이지 5 IXGT16N170AH1 데이터 시트 페이지 6 IXGT16N170AH1 데이터 시트 페이지 7

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IXGH16N170AH1 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1700V
전류-수집기 (Ic) (최대)16A
전류-수집기 펄스 (Icm)40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic5V @ 15V, 11A
전력-최대190W
에너지 전환900µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지65nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C36ns/160ns
테스트 조건850V, 16A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)230ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AD (IXGH)

관심을 가질만한 제품

NGTB10N60FG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

72A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 10A

전력-최대

40W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

55nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/145ns

테스트 조건

300V, 10A, 30Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F-3FS

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

전력-최대

380W

에너지 전환

800µJ (on), 450µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

115nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/70ns

테스트 조건

480V, 40A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

IRG4BC20UD-STRR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

13A

전류-수집기 펄스 (Icm)

52A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

전력-최대

60W

에너지 전환

160µJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

39ns/93ns

테스트 조건

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IRG4BC20KDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

32A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 9A

전력-최대

60W

에너지 전환

340µJ (on), 300µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

34nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

54ns/180ns

테스트 조건

480V, 9A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

APT35GN120L2DQ2G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT, Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

94A

전류-수집기 펄스 (Icm)

105A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 35A

전력-최대

379W

에너지 전환

2.315mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

220nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

24ns/300ns

테스트 조건

800V, 35A, 2.2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

-

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