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IXGH30N60B

IXGH30N60B

참조 용

부품 번호 IXGH30N60B
PNEDA 부품 번호 IXGH30N60B
설명 IGBT 600V 60A 200W TO247AD
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 6,534
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGH30N60B 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGH30N60B
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGH30N60B, IXGH30N60B 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 53.5 KB)
PDFIXGT30N60B 데이터 시트 표지
IXGT30N60B 데이터 시트 페이지 2

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IXGH30N60B 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFAST™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)60A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 30A
전력-최대200W
에너지 전환1.3mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지125nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C25ns/130ns
테스트 조건480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AD (IXGH)

관심을 가질만한 제품

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

37A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 15A

전력-최대

300W

에너지 전환

9.15mJ (on), 1.4mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

267nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/455ns

테스트 조건

1500V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

706ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

i4-Pac™-5 (3 Leads)

공급자 장치 패키지

ISOPLUS i4-PAC™

IXBF32N300

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

250A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 32A

전력-최대

160W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

142nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.5µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

i4-Pac™-5 (3 Leads)

공급자 장치 패키지

ISOPLUS i4-PAC™

IRG4BC20SPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

19A

전류-수집기 펄스 (Icm)

38A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 10A

전력-최대

60W

에너지 전환

120µJ (on), 2.05mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/540ns

테스트 조건

480V, 10A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

STGW40NC60V

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

전력-최대

260W

에너지 전환

330µJ (on), 720µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

214nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

43ns/140ns

테스트 조건

390V, 40A, 3.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

FGA40S65SH

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.81V @ 15V, 40A

전력-최대

268W

에너지 전환

194µJ (on), 388µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

73nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19.2ns/68.8ns

테스트 조건

400V, 40A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

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