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IXGH32N60C

IXGH32N60C

참조 용

부품 번호 IXGH32N60C
PNEDA 부품 번호 IXGH32N60C
설명 IGBT 600V 60A 200W TO247AD
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 3,562
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 31 - 4월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGH32N60C 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGH32N60C
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGH32N60C, IXGH32N60C 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 117.66 KB)
PDFIXGT32N60C 데이터 시트 표지
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IXGH32N60C 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFAST™, Lightspeed™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)60A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 32A
전력-최대200W
에너지 전환320µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지110nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C25ns/85ns
테스트 조건480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AD (IXGH)

관심을 가질만한 제품

APT25GP120BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

69A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 25A

전력-최대

417W

에너지 전환

500µJ (on), 438µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

110nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/70ns

테스트 조건

600V, 25A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

IRG4IBC30SPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23.5A

전류-수집기 펄스 (Icm)

47A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 18A

전력-최대

45W

에너지 전환

260µJ (on), 3.45mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

50nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/540ns

테스트 조건

480V, 18A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220AB Full-Pak

FGA25N120ANTDTU-F109

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT and Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.65V @ 15V, 50A

전력-최대

312W

에너지 전환

4.1mJ (on), 960µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

200nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/190ns

테스트 조건

600V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

350ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

HGTP20N60A4

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

280A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

전력-최대

290W

에너지 전환

105µJ (on), 150µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

142nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/73ns

테스트 조건

390V, 20A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

IRG4BC30S-SPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

34A

전류-수집기 펄스 (Icm)

68A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 18A

전력-최대

100W

에너지 전환

260µJ (on), 3.45mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

50nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/540ns

테스트 조건

480V, 18A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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0452007.MRL

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0451004.MR

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BK2125HS750-T

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