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IXGH34N60B2

IXGH34N60B2

참조 용

부품 번호 IXGH34N60B2
PNEDA 부품 번호 IXGH34N60B2
설명 IGBT 600V 70A 190W TO247AD
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 6,192
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 23 - 1월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGH34N60B2 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGH34N60B2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGH34N60B2, IXGH34N60B2 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 40.39 KB)
PDFIXGH34N60B2 데이터 시트 표지
IXGH34N60B2 데이터 시트 페이지 2

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IXGH34N60B2 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFAST™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)70A
전류-수집기 펄스 (Icm)150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.55V @ 15V, 24A
전력-최대190W
에너지 전환640µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지66nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C13ns/150ns
테스트 조건400V, 24A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AD (IXGH)

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Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

88A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

전력-최대

326W

에너지 전환

1.46mJ (on), 1.29mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

58nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

36ns/115ns

테스트 조건

400V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

103ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247N

STGD6NC60HT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전류-수집기 펄스 (Icm)

21A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 3A

전력-최대

56W

에너지 전환

20µJ (on), 68µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

13.6nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/76ns

테스트 조건

390V, 3A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

ISL9V5045S3S

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

EcoSPARK®

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

480V

전류-수집기 (Ic) (최대)

51A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 10A

전력-최대

300W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

32nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/10.8µs

테스트 조건

300V, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

IXBF20N300

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

34A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 20A

전력-최대

150W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

105nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.35µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

i4-Pac™-5 (3 Leads)

공급자 장치 패키지

ISOPLUS i4-PAC™

STGWT20H60DF

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

전력-최대

167W

에너지 전환

209µJ (on), 261µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

115nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

42.5ns/177ns

테스트 조건

400V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

90ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

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