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IXGH36N60A3D4

IXGH36N60A3D4

참조 용

부품 번호 IXGH36N60A3D4
PNEDA 부품 번호 IXGH36N60A3D4
설명 IGBT 600V 220W TO247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 2,322
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGH36N60A3D4 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGH36N60A3D4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGH36N60A3D4, IXGH36N60A3D4 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 231.61 KB)
PDFIXGH36N60A3D4 데이터 시트 표지
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IXGH36N60A3D4 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX3™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전류-수집기 펄스 (Icm)200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.4V @ 15V, 30A
전력-최대220W
에너지 전환740µJ (on), 3mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지80nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C18ns/330ns
테스트 조건400V, 30A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)3ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AD (IXGH)

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제조업체

IXYS

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전류-수집기 펄스 (Icm)

20A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 5A

전력-최대

140W

에너지 전환

380µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

29nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/190ns

테스트 조건

850V, 10A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

IRG4BC30W-STRLP

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23A

전류-수집기 펄스 (Icm)

92A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

전력-최대

100W

에너지 전환

130µJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

51nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/99ns

테스트 조건

480V, 12A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

SKP02N120XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6.2A

전류-수집기 펄스 (Icm)

9.6A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 2A

전력-최대

62W

에너지 전환

220µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

11nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/260ns

테스트 조건

800V, 2A, 91Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

50ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

APT150GN60B2G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

220A

전류-수집기 펄스 (Icm)

450A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 150A

전력-최대

536W

에너지 전환

8.81mJ (on), 4.295mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

970nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

44ns/430ns

테스트 조건

400V, 150A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

-

FGY75T95LQDT

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

950V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.69V @ 15V, 75A

전력-최대

453W

에너지 전환

2mJ (on), 1.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

663.3nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

52ns/496ns

테스트 조건

600V, 37.5A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

259ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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IS61WV25616BLL-10TLI

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MT29F4G01AAADDHC:D

MT29F4G01AAADDHC:D

Micron Technology Inc.

IC FLASH 4G SPI 63VFBGA