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IXGH40N120B2D1

IXGH40N120B2D1

참조 용

부품 번호 IXGH40N120B2D1
PNEDA 부품 번호 IXGH40N120B2D1
설명 IGBT 1200V 75A 380W TO247
제조업체 IXYS
단가
1 ---------- $161.7524
50 ---------- $154.1703
100 ---------- $146.5882
200 ---------- $139.0060
400 ---------- $132.6876
500 ---------- $126.3691
재고 있음 55,807
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IXGH40N120B2D1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGH40N120B2D1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGH40N120B2D1, IXGH40N120B2D1 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 215.25 KB)
PDFIXGT40N120B2D1 데이터 시트 표지
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  • IXGH40N120B2D1 Distributor

IXGH40N120B2D1 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)75A
전류-수집기 펄스 (Icm)200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.5V @ 15V, 40A
전력-최대380W
에너지 전환4.5mJ (on), 3mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지138nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C21ns/290ns
테스트 조건960V, 40A, 2Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)100ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AD (IXGH)

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제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

130A

전류-수집기 펄스 (Icm)

250A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 36A

전력-최대

600W

에너지 전환

1.3mJ (on), 370µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

80nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/80ns

테스트 조건

400V, 36A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263

STGWA25H120DF2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 25A

전력-최대

375W

에너지 전환

600µJ (on), 700µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

29ns/130ns

테스트 조건

600V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

303ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

FGA25N120FTD

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

75A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 25A

전력-최대

313W

에너지 전환

340µJ (on), 900µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

160nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

48ns/210ns

테스트 조건

600V, 25A, 15Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

770ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

IRG8CH15K10D

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

IRGP4740DPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

72A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 24A

전력-최대

250W

에너지 전환

520µJ (on), 240µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

70nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

24ns/73ns

테스트 조건

400V, 24A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

170ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

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