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IXGH48N60C3D1

IXGH48N60C3D1

참조 용

부품 번호 IXGH48N60C3D1
PNEDA 부품 번호 IXGH48N60C3D1
설명 IGBT 600V 75A 300W TO247AD
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGH48N60C3D1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGH48N60C3D1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGH48N60C3D1, IXGH48N60C3D1 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 203.51 KB)
PDFIXGH48N60C3D1 데이터 시트 표지
IXGH48N60C3D1 데이터 시트 페이지 2 IXGH48N60C3D1 데이터 시트 페이지 3 IXGH48N60C3D1 데이터 시트 페이지 4 IXGH48N60C3D1 데이터 시트 페이지 5 IXGH48N60C3D1 데이터 시트 페이지 6 IXGH48N60C3D1 데이터 시트 페이지 7

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IXGH48N60C3D1 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX3™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)75A
전류-수집기 펄스 (Icm)250A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 30A
전력-최대300W
에너지 전환410µJ (on), 230µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지77nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C19ns/60ns
테스트 조건400V, 30A, 3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)25ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AD (IXGH)

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

280A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 39A

전력-최대

200W

에너지 전환

1.5mJ (on), 2.4mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

190nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

55ns/240ns

테스트 조건

480V, 39A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

50ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

SGP30N60XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

41A

전류-수집기 펄스 (Icm)

112A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

전력-최대

250W

에너지 전환

1.29mJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

140nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

44ns/291ns

테스트 조건

400V, 30A, 11Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

IGW30N60H3FKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

전력-최대

187W

에너지 전환

1.38mJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

165nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/207ns

테스트 조건

400V, 30A, 10.5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

APT15GP60BDQ1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

56A

전류-수집기 펄스 (Icm)

65A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 15A

전력-최대

250W

에너지 전환

130µJ (on), 120µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

55nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

8ns/29ns

테스트 조건

400V, 15A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

RGTV00TS65DGC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

95A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

전력-최대

276W

에너지 전환

1.17mJ (on), 940µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

104nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

41ns/142ns

테스트 조건

400V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

102ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247N

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