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IXGH6N170

IXGH6N170

참조 용

부품 번호 IXGH6N170
PNEDA 부품 번호 IXGH6N170
설명 IGBT 1700V 12A 75W TO247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 7,236
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 15 - 3월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGH6N170 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGH6N170
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGH6N170, IXGH6N170 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 171.88 KB)
PDFIXGH6N170 데이터 시트 표지
IXGH6N170 데이터 시트 페이지 2 IXGH6N170 데이터 시트 페이지 3 IXGH6N170 데이터 시트 페이지 4

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IXGH6N170 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1700V
전류-수집기 (Ic) (최대)12A
전류-수집기 펄스 (Icm)24A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic4V @ 15V, 6A
전력-최대75W
에너지 전환1.5mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지20nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C40ns/250ns
테스트 조건1360V, 6A, 33Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AD (IXGH)

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23A

전류-수집기 펄스 (Icm)

24A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 8A

전력-최대

99W

에너지 전환

70µJ (on), 145µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

19nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/95ns

테스트 조건

400V, 8A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IXBK75N170

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전류-수집기 펄스 (Icm)

580A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 75A

전력-최대

1040W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

350nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.5µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUS247™

공급자 장치 패키지

ISOPLUS247™

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 28A

전력-최대

150W

에너지 전환

2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

68nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/175ns

테스트 조건

480V, 28A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

APT50GN60BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

107A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 50A

전력-최대

366W

에너지 전환

1185µJ (on), 1565µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

325nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/230ns

테스트 조건

400V, 50A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

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