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IXGN320N60A3

IXGN320N60A3

참조 용

부품 번호 IXGN320N60A3
PNEDA 부품 번호 IXGN320N60A3
설명 IGBT 600V SOT-227B
제조업체 IXYS
단가
1 ---------- $378.4823
50 ---------- $360.7409
100 ---------- $342.9996
200 ---------- $325.2582
400 ---------- $310.4738
500 ---------- $295.6893
재고 있음 310
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 6 - 12월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGN320N60A3 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGN320N60A3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
IXGN320N60A3, IXGN320N60A3 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 159.66 KB)
PDFIXGN320N60A3 데이터 시트 표지
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IXGN320N60A3 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX3™
IGBT 유형PT
구성Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)320A
전력-최대735W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.25V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대)150µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce18nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지SOT-227B

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Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

312W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

111A

전력-최대

447W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.44V @ 15V, 70A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

FZ1200R33KL2CNOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

2300A

전력-최대

14500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.65V @ 15V, 1200A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

145nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGT35H120T1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

55A

전력-최대

208W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

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