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IXGP2N100

IXGP2N100

참조 용

부품 번호 IXGP2N100
PNEDA 부품 번호 IXGP2N100
설명 IGBT 1000V 4A 25W TO220AB
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 2,070
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 6 - 4월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGP2N100 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGP2N100
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGP2N100, IXGP2N100 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 85.86 KB)
PDFIXGP2N100A 데이터 시트 표지
IXGP2N100A 데이터 시트 페이지 2

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IXGP2N100 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1000V
전류-수집기 (Ic) (최대)4A
전류-수집기 펄스 (Icm)8A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 2A
전력-최대25W
에너지 전환560µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지7.8nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C15ns/300ns
테스트 조건800V, 2A, 150Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220AB

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

135A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 50A

전력-최대

781W

에너지 전환

3.6mJ (on), 2.64mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

340nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/260ns

테스트 조건

800V, 50A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

-

APT68GA60LD40

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 8™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

121A

전류-수집기 펄스 (Icm)

202A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

전력-최대

520W

에너지 전환

715µJ (on), 607µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

198nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/133ns

테스트 조건

400V, 40A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

22ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264 [L]

APT15GP90BDQ1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

43A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 15A

전력-최대

250W

에너지 전환

200µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

60nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

9ns/33ns

테스트 조건

600V, 15A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

STGW60H65DRF

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 60A

전력-최대

420W

에너지 전환

940µJ (on), 1.06mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

217nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

85ns/178ns

테스트 조건

400V, 60A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

19ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

FGH40T65SQD-F155

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

전력-최대

238W

에너지 전환

138µJ (on), 52µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

80nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16.4ns/86.4ns

테스트 조건

400V, 10A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

31.8ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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