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IXGR32N60CD1

IXGR32N60CD1

참조 용

부품 번호 IXGR32N60CD1
PNEDA 부품 번호 IXGR32N60CD1
설명 IGBT 600V 45A 140W ISOPLUS247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 5,850
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 15 - 3월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGR32N60CD1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGR32N60CD1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGR32N60CD1, IXGR32N60CD1 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 572.06 KB)
PDFIXGR32N60CD1 데이터 시트 표지
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IXGR32N60CD1 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFAST™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)45A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 32A
전력-최대140W
에너지 전환320µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지110nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C25ns/85ns
테스트 조건480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)25ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스ISOPLUS247™
공급자 장치 패키지ISOPLUS247™

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

54A

전류-수집기 펄스 (Icm)

113A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 30A

전력-최대

250W

에너지 전환

570µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

145nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/360ns

테스트 조건

400V, 30A, 9.1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

AOB15B65M1

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

Alpha IGBT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 15A

전력-최대

214W

에너지 전환

290µJ (on), 200µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

32nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/116ns

테스트 조건

400V, 15A, 20Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

317ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263 (D2Pak)

IRG4RC10SDTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

전력-최대

38W

에너지 전환

310µJ (on), 3.28mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

76ns/815ns

테스트 조건

480V, 8A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

28ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

STGB10NB40LZT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

440V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 4.5V, 10A

전력-최대

150W

에너지 전환

2.4mJ (on), 5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

28nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

1.3µs/8µs

테스트 조건

328V, 10A, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IRG4BC30FD-S

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

31A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

전력-최대

100W

에너지 전환

630µJ (on), 1.39mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

51nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

42ns/230ns

테스트 조건

480V, 17A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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