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IXGR48N60C3D1

IXGR48N60C3D1

참조 용

부품 번호 IXGR48N60C3D1
PNEDA 부품 번호 IXGR48N60C3D1
설명 IGBT 600V 56A 125W ISOPLUS247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 7,560
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 6 - 12월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGR48N60C3D1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGR48N60C3D1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGR48N60C3D1, IXGR48N60C3D1 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 207.6 KB)
PDFIXGR48N60C3D1 데이터 시트 표지
IXGR48N60C3D1 데이터 시트 페이지 2 IXGR48N60C3D1 데이터 시트 페이지 3 IXGR48N60C3D1 데이터 시트 페이지 4 IXGR48N60C3D1 데이터 시트 페이지 5 IXGR48N60C3D1 데이터 시트 페이지 6 IXGR48N60C3D1 데이터 시트 페이지 7

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IXGR48N60C3D1 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX3™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)56A
전류-수집기 펄스 (Icm)230A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 30A
전력-최대125W
에너지 전환410µJ (on), 230µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지77nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C19ns/60ns
테스트 조건400V, 30A, 3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)25ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스ISOPLUS247™
공급자 장치 패키지ISOPLUS247™

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ON Semiconductor

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전류-수집기 펄스 (Icm)

9A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.52V @ 15V, 3A

전력-최대

60W

에너지 전환

52µJ (on), 30µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

1.6nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

5.5ns/22ns

테스트 조건

400V, 3A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

21ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

STGW80H65FB-4

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 80A

전력-최대

469W

에너지 전환

2.1mJ (on), 1.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

414nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

84ns/280ns

테스트 조건

400V, 80A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-4

공급자 장치 패키지

TO-247-4L

IRGB30B60KPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

78A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 30A

전력-최대

370W

에너지 전환

350µJ (on), 825µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

102nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/185ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

140A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 35A

전력-최대

300W

에너지 전환

3.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/180ns

테스트 조건

960V, 35A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

280A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 32A

전력-최대

400W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

142nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/160ns

테스트 조건

1250V, 32A, 2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

1500ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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