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IXGT39N60BD1

IXGT39N60BD1

참조 용

부품 번호 IXGT39N60BD1
PNEDA 부품 번호 IXGT39N60BD1
설명 IGBT 600V 76A 200W TO268
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 7,596
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGT39N60BD1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGT39N60BD1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGT39N60BD1, IXGT39N60BD1 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 154.32 KB)
PDFIXGT39N60BD1 데이터 시트 표지
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IXGT39N60BD1 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFAST™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)76A
전류-수집기 펄스 (Icm)152A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 39A
전력-최대200W
에너지 전환4mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지110nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C25ns/250ns
테스트 조건480V, 39A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)25ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
공급자 장치 패키지TO-268

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ON Semiconductor

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

170A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.88V @ 15V, 30A

전력-최대

30W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

40.3nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

11.2ns/40.8ns

테스트 조건

400V, 30A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F

FGB3040G2-F085

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

전류-수집기 (Ic) (최대)

41A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

전력-최대

150W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

21nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

900ns/4.8µs

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263)

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IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

34A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 20A

전력-최대

150W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

105nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.35µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

i4-Pac™-5 (3 Leads)

공급자 장치 패키지

ISOPLUS i4-PAC™

SGR2N60UFDTM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

2.4A

전류-수집기 펄스 (Icm)

10A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 1.2A

전력-최대

25W

에너지 전환

30µJ (on), 13µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

9nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/80ns

테스트 조건

300V, 1.2A, 200Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

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1.5V @ 15V, 20A

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51.6W

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-

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Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

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