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IXGX32N170H1

IXGX32N170H1

참조 용

부품 번호 IXGX32N170H1
PNEDA 부품 번호 IXGX32N170H1
설명 IGBT 1700V 75A 350W PLUS247
제조업체 IXYS
단가
1 ---------- $288.4680
50 ---------- $274.9460
100 ---------- $261.4241
200 ---------- $247.9022
400 ---------- $236.6339
500 ---------- $225.3656
재고 있음 736
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IXGX32N170H1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGX32N170H1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGX32N170H1, IXGX32N170H1 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 1,079.56 KB)
PDFIXGX32N170H1 데이터 시트 표지
IXGX32N170H1 데이터 시트 페이지 2

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  • IXGX32N170H1 Distributor

IXGX32N170H1 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1700V
전류-수집기 (Ic) (최대)75A
전류-수집기 펄스 (Icm)200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.3V @ 15V, 32A
전력-최대350W
에너지 전환15mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지155nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C45ns/270ns
테스트 조건1360V, 32A, 2.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)150ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지PLUS247™-3

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제조업체

IXYS

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

118A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 30A

전력-최대

270W

에너지 전환

1mJ (on), 270µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

44nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/75ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

120ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 (IXYH)

NGTB50N60S1WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 50A

전력-최대

417W

에너지 전환

1.5mJ (on), 460µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

220nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

100ns/237ns

테스트 조건

400V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

94ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

STGP6NC60H

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전류-수집기 펄스 (Icm)

21A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 3A

전력-최대

56W

에너지 전환

20µJ (on), 68µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

13.6nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/76ns

테스트 조건

390V, 3A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

21ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

STGW39NC60VD

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

220A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

전력-최대

250W

에너지 전환

333µJ (on), 537µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

126nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

33ns/178ns

테스트 조건

390V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

45ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

NGTB60N65FL2WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 60A

전력-최대

595W

에너지 전환

1.59mJ (on), 660µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

318nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

117ns/265ns

테스트 조건

400V, 60A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

96ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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