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IXSA10N60B2D1

IXSA10N60B2D1

참조 용

부품 번호 IXSA10N60B2D1
PNEDA 부품 번호 IXSA10N60B2D1
설명 IGBT 600V 20A 100W TO263
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 4,986
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 20 - 11월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXSA10N60B2D1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXSA10N60B2D1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXSA10N60B2D1, IXSA10N60B2D1 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 589.11 KB)
PDFIXSA10N60B2D1 데이터 시트 표지
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IXSA10N60B2D1 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)20A
전류-수집기 펄스 (Icm)30A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 10A
전력-최대100W
에너지 전환430µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지17nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C30ns/180ns
테스트 조건480V, 10A, 30Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)25ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263 AA (IXSA)

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

72A

전류-수집기 펄스 (Icm)

110A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 25A

전력-최대

417W

에너지 전환

370µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

110nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/55ns

테스트 조건

600V, 40A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

IRGS4610DPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

전력-최대

77W

에너지 전환

56µJ (on), 122µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

13nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/75ns

테스트 조건

400V, 6A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

74ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

HGT1S3N60A4DS9A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

17A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 3A

전력-최대

70W

에너지 전환

37µJ (on), 25µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

21nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

6ns/73ns

테스트 조건

390V, 3A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

29ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

104A

전류-수집기 펄스 (Icm)

400A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 42A

전력-최대

500W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

200nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

72ns/445ns

테스트 조건

1500V, 42A, 20Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

1.7µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

FGH40N60SFDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 40A

전력-최대

290W

에너지 전환

1.13mJ (on), 310µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/115ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

45ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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