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IXSX50N60BU1

IXSX50N60BU1

참조 용

부품 번호 IXSX50N60BU1
PNEDA 부품 번호 IXSX50N60BU1
설명 IGBT 600V 75A 300W PLUS247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 8,190
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXSX50N60BU1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXSX50N60BU1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXSX50N60BU1, IXSX50N60BU1 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 143.96 KB)
PDFIXSX50N60BU1 데이터 시트 표지
IXSX50N60BU1 데이터 시트 페이지 2 IXSX50N60BU1 데이터 시트 페이지 3 IXSX50N60BU1 데이터 시트 페이지 4 IXSX50N60BU1 데이터 시트 페이지 5 IXSX50N60BU1 데이터 시트 페이지 6

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IXSX50N60BU1 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)75A
전류-수집기 펄스 (Icm)200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 50A
전력-최대300W
에너지 전환3.3mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지167nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C70ns/150ns
테스트 조건480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)50ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지PLUS247™-3

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전류-수집기 펄스 (Icm)

10A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 5A

전력-최대

75W

에너지 전환

2.59mJ (on), 9mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

690ns/12.1µs

테스트 조건

960V, 5A, 1kOhm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

FGAF40S65AQ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

전력-최대

94W

에너지 전환

132µJ (on), 62µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

75nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17.8ns/81.6ns

테스트 조건

400V, 10A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

274ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-3PF-3

RGT40NS65DGTL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

전력-최대

161W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

40nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/75ns

테스트 조건

400V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

58ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

LPDS (TO-263S)

SKB02N60E3266ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전류-수집기 펄스 (Icm)

12A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 2A

전력-최대

30W

에너지 전환

64µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

14nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/259ns

테스트 조건

400V, 2A, 118Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

130ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

PG-TO263-3

RGTV60TS65DGC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

전력-최대

194W

에너지 전환

570µJ (on), 500µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

64nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

33ns/105ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

95ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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