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IXTA12N50P

IXTA12N50P

참조 용

부품 번호 IXTA12N50P
PNEDA 부품 번호 IXTA12N50P
설명 MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXTA12N50P 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXTA12N50P
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXTA12N50P, IXTA12N50P 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 159.09 KB)
PDFIXTI12N50P 데이터 시트 표지
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IXTA12N50P 사양

제조업체IXYS
시리즈Polar™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs500mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs29nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1830pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)200W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-263 (IXTA)
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

180mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1085pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

114W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 8 x 8

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

FQP1P50

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10.5Ohm @ 750mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

63W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

SI3434-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

245pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

FQA6N90

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.9Ohm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

52nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1880pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

198W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3P

패키지 / 케이스

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제조업체

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시리즈

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

152nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

550W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

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CAP TANT POLY 330UF 20% 16V 2924

B32921C3104M000

B32921C3104M000

TDK-EPCOS

CAP FILM 0.1UF 20% 305VAC RADIAL

CKR05BX104KR

CKR05BX104KR

CAP CER 0.1UF 50V BX RADIAL

T491X227K016AT

T491X227K016AT

KEMET

CAP TANT 220UF 10% 16V 2917

TAJE107M025RNJ

TAJE107M025RNJ

CAP TANT 100UF 20% 25V 2917

TAJD227K010RNJ

TAJD227K010RNJ

CAP TANT 220UF 10% 10V 2917

TAJD107K020RNJ

TAJD107K020RNJ

CAP TANT 100UF 10% 20V 2917