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IXTA180N10T7

IXTA180N10T7

참조 용

부품 번호 IXTA180N10T7
PNEDA 부품 번호 IXTA180N10T7
설명 MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7
제조업체 IXYS
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재고 있음 3,204
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXTA180N10T7 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXTA180N10T7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXTA180N10T7, IXTA180N10T7 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 197.66 KB)
PDFIXTA180N10T7 데이터 시트 표지
IXTA180N10T7 데이터 시트 페이지 2 IXTA180N10T7 데이터 시트 페이지 3 IXTA180N10T7 데이터 시트 페이지 4 IXTA180N10T7 데이터 시트 페이지 5

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IXTA180N10T7 사양

제조업체IXYS
시리즈TrenchMV™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)180A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs6.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs151nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds6900pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)480W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-263-7 (IXTA..7)
패키지 / 케이스TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 80µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

240pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3-1

패키지 / 케이스

TO-220-3

SI4636DY-T1-GE3

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2635pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 4.4W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

STI100N10F7

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 25V

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I2PAK (TO-262)

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

STW20NM65N

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ II

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2500pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

160W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247-3

패키지 / 케이스

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4300pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 110W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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