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IXTA220N055T7

IXTA220N055T7

참조 용

부품 번호 IXTA220N055T7
PNEDA 부품 번호 IXTA220N055T7
설명 MOSFET N-CH 55V 220A TO-263-7
제조업체 IXYS
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IXTA220N055T7 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXTA220N055T7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXTA220N055T7, IXTA220N055T7 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 197.39 KB)
PDFIXTA220N055T7 데이터 시트 표지
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IXTA220N055T7 사양

제조업체IXYS
시리즈TrenchMV™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)220A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs158nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7200pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)430W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-263-7 (IXTA..7)
패키지 / 케이스TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A (Ta), 10A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

132mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

282pF @ 37.5V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.1W (Ta), 28.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

320mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

24.5pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

350mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

패키지 / 케이스

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제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

110A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.8mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

390nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

25700pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.8W (Ta), 288W (Tc)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

110A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

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Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3247pF @ 25V

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전력 손실 (최대)

200W (Tc)

작동 온도

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