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IXTA220N075T7

IXTA220N075T7

참조 용

부품 번호 IXTA220N075T7
PNEDA 부품 번호 IXTA220N075T7
설명 MOSFET N-CH 75V 220A TO-263-7
제조업체 IXYS
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IXTA220N075T7 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXTA220N075T7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXTA220N075T7, IXTA220N075T7 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 163.05 KB)
PDFIXTA220N075T7 데이터 시트 표지
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IXTA220N075T7 사양

제조업체IXYS
시리즈TrenchMV™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)220A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs165nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7700pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)480W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-263-7 (IXTA..7)
패키지 / 케이스TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

85A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.85mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

65nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3100pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-DFN-EP (5x6)

패키지 / 케이스

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NVMYS3D3N06CLTWG

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

26A (Ta), 133A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40.7nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2880pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.9W (Ta), 100W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

4-LFPAK

패키지 / 케이스

SOT-1023, 4-LFPAK

ZVN4206ASTOB

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

600mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

100pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

700mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

E-Line (TO-92 compatible)

패키지 / 케이스

E-Line-3

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

52mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

107nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6180pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

780W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

860pF @ 25V

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전력 손실 (최대)

81.1W (Ta)

작동 온도

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