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IXTK600N04T2

IXTK600N04T2

참조 용

부품 번호 IXTK600N04T2
PNEDA 부품 번호 IXTK600N04T2
설명 MOSFET N-CH 40V 600A TO-264
제조업체 IXYS
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재고 있음 2,502
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IXTK600N04T2 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXTK600N04T2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXTK600N04T2, IXTK600N04T2 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 211.03 KB)
PDFIXTK600N04T2 데이터 시트 표지
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IXTK600N04T2 사양

제조업체IXYS
시리즈FRFET®, SupreMOS®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)600A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs590nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds40000pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1250W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-264 (IXTK)
패키지 / 케이스TO-264-3, TO-264AA

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20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

110A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 7V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 64A, 7V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4700pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

140W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.1mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 95µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

118nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9430pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STL3N65M2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

155pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

22W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerFlat™ (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

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Rohm Semiconductor

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.8nC @ 5V

Vgs (최대)

20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1000pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

83.2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

37mOhm @ 33.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 3.3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

330nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7240pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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패키지 / 케이스

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