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IXTL2N450

IXTL2N450

참조 용

부품 번호 IXTL2N450
PNEDA 부품 번호 IXTL2N450
설명 MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK
제조업체 IXYS
단가
1 ---------- $1,343.6513
50 ---------- $1,280.6677
100 ---------- $1,217.6840
200 ---------- $1,154.7004
400 ---------- $1,102.2140
500 ---------- $1,049.7276
재고 있음 1,710
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IXTL2N450 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXTL2N450
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXTL2N450, IXTL2N450 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 150.91 KB)
PDFIXTL2N450 데이터 시트 표지
IXTL2N450 데이터 시트 페이지 2 IXTL2N450 데이터 시트 페이지 3 IXTL2N450 데이터 시트 페이지 4 IXTL2N450 데이터 시트 페이지 5

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  • IXTL2N450 Distributor

IXTL2N450 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)4500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs23Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs156nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds6900pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)220W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지ISOPLUSi5-Pak™
패키지 / 케이스ISOPLUSi5-Pak™

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

160mOhm @ 9A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

930pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.7W (Ta), 88W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

GP1M013A050H

Global Power Technologies Group

제조업체

Global Power Technologies Group

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

480mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1918pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

183W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220

패키지 / 케이스

TO-220-3

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

2000V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1860pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

520W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247

패키지 / 케이스

TO-247-3

BSP225,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

225mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

90pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.5W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SC-73

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20.9nC @ 5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

96W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I2PAK

패키지 / 케이스

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