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IXTL2X240N055T

IXTL2X240N055T

참조 용

부품 번호 IXTL2X240N055T
PNEDA 부품 번호 IXTL2X240N055T
설명 MOSFET 2N-CH 55V 140A ISOPLUS I5
제조업체 IXYS
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IXTL2X240N055T 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXTL2X240N055T
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
IXTL2X240N055T, IXTL2X240N055T 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 66.9 KB)
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IXTL2X240N055T 사양

제조업체IXYS
시리즈TrenchMV™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)140A
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs170nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7600pF @ 25V
전력-최대150W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스ISOPLUSi5-Pak™
공급자 장치 패키지ISOPLUSi5-Pak™

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

200pF @ 15V

전력-최대

1.7W

작동 온도

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

PMCXB900UELZ

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

600mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

620mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

950mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

21.3pF @ 10V

전력-최대

380mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-XFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

44mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

560pF @ 25V

전력-최대

2.9W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

8Ohm @ 100mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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27pF @ 25V

전력-최대

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