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IXTQ44N50P

IXTQ44N50P

참조 용

부품 번호 IXTQ44N50P
PNEDA 부품 번호 IXTQ44N50P
설명 MOSFET N-CH 500V 44A TO-3P
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXTQ44N50P 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXTQ44N50P
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXTQ44N50P, IXTQ44N50P 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 114.02 KB)
PDFIXTQ44N50P 데이터 시트 표지
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IXTQ44N50P 사양

제조업체IXYS
시리즈PolarHV™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)44A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs140mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs98nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5440pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)658W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-3P
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3

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P-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

950mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1020pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.2W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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CSD18512Q5BT

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제조업체

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

211A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.6mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

98nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7120pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

139W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-VSON-CLIP (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

BUK9Y3R5-40E,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30.2nC @ 5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5137pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

167W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

LFPAK56, Power-SO8

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IRLS3813TRLPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

160A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.95mOhm @ 148A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.35V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

83nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8020pF @ 25V

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-

전력 손실 (최대)

195W (Tc)

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Surface Mount

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

260A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

140nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

480W (Tc)

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