IXTT10N100D
참조 용
| 부품 번호 | IXTT10N100D |
| PNEDA 부품 번호 | IXTT10N100D |
| 설명 | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 |
| 제조업체 | IXYS |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,582 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IXTT10N100D 리소스
| 브랜드 | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IXTT10N100D |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IXTT10N100D 사양
| 제조업체 | IXYS |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1000V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2500pF @ 25V |
| FET 기능 | Depletion Mode |
| 전력 손실 (최대) | 400W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | TO-268 |
| 패키지 / 케이스 | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 * FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 - |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 91mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.7nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 220pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TSMT3 패키지 / 케이스 SC-96 |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 MDmesh™ II FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 320mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 27nC @ 10V Vgs (최대) ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 816pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 90W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 61A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 7V Rds On (최대) @ Id, Vgs 13mOhm @ 37A, 7V Vgs (th) (최대) @ Id 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 58nC @ 4.5V Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2500pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 89W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 275µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 206nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14800pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 300W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PG-TO262-3 패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
