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IXTT110N10L2

IXTT110N10L2

참조 용

부품 번호 IXTT110N10L2
PNEDA 부품 번호 IXTT110N10L2
설명 MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
제조업체 IXYS
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재고 있음 7,002
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 4 - 4월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXTT110N10L2 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXTT110N10L2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXTT110N10L2, IXTT110N10L2 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 136.23 KB)
PDFIXTT110N10L2 데이터 시트 표지
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IXTT110N10L2 사양

제조업체IXYS
시리즈Linear L2™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)110A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs18mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs260nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds10500pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)600W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-268
패키지 / 케이스TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

38A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1152pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

88W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

85A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

118nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7973pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

238W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

34A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.7mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

84nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5760pF @ 6V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 5.7W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

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전력 손실 (최대)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

54A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

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20.5nC @ 5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2651pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

96W (Tc)

작동 온도

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