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IXTT360N055T2

IXTT360N055T2

참조 용

부품 번호 IXTT360N055T2
PNEDA 부품 번호 IXTT360N055T2
설명 MOSFET N-CH 55V 360A TO268
제조업체 IXYS
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IXTT360N055T2 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXTT360N055T2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXTT360N055T2, IXTT360N055T2 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 181.89 KB)
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IXTT360N055T2 사양

제조업체IXYS
시리즈TrenchT2™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)360A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs330nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds20000pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)935W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-268
패키지 / 케이스TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

73nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

200mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.7W (Ta), 43W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.9mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3360pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

94W (Tj)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

270mOhm @ 7.75A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

55nC @ 10V

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±25V

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.32V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

51nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4310pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

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