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IXTV22N50P

IXTV22N50P

참조 용

부품 번호 IXTV22N50P
PNEDA 부품 번호 IXTV22N50P
설명 MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXTV22N50P 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXTV22N50P
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXTV22N50P, IXTV22N50P 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 198.36 KB)
PDFIXTV22N50PS 데이터 시트 표지
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IXTV22N50P 사양

제조업체IXYS
시리즈PolarHV™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)22A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs270mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs50nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2630pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)350W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지PLUS220
패키지 / 케이스TO-220-3, Short Tab

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

FQA28N50

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

28.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

160mOhm @ 14.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

140nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

310W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3P

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

AOD413

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

24A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14.1nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

850pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

BSF045N03MQ3 G

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A (Ta), 63A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2600pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

MG-WDSON-2, CanPAK M™

패키지 / 케이스

3-WDSON

NTK3142PT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

215mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4Ohm @ 260mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

15.3pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

280mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-723

패키지 / 케이스

SOT-723

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