IXTY55N075T
참조 용
| 부품 번호 | IXTY55N075T |
| PNEDA 부품 번호 | IXTY55N075T |
| 설명 | MOSFET N-CH 75V 55A TO-252 |
| 제조업체 | IXYS |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,380 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 8 - 4월 13 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IXTY55N075T 리소스
| 브랜드 | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IXTY55N075T |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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IXTY55N075T 사양
| 제조업체 | IXYS |
| 시리즈 | TrenchMV™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 75V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 55A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 19.5mOhm @ 27.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 25µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1400pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 130W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | TO-252 |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 270mOhm @ 780mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 16nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 360pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.3W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 패키지 / 케이스 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 27mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 18.9nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1260pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.75W (Ta), 74W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 I-PAK 패키지 / 케이스 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 TrenchMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 46A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 27mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 33nC @ 5V Vgs (최대) ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4360pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 157W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 34A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 32mOhm @ 7.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 80nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2490pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.8W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-252 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
