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IXTY55N075T

IXTY55N075T

참조 용

부품 번호 IXTY55N075T
PNEDA 부품 번호 IXTY55N075T
설명 MOSFET N-CH 75V 55A TO-252
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 7,380
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXTY55N075T 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXTY55N075T
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXTY55N075T, IXTY55N075T 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 169.62 KB)
PDFIXTY55N075T 데이터 시트 표지
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IXTY55N075T 사양

제조업체IXYS
시리즈TrenchMV™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs19.5mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs33nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1400pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)130W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-252
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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STMicroelectronics

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

965pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.7W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI7898DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

85mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.9W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8

SSM3K341R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

U-MOSVIII-H

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.3nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

550pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.2W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23F

패키지 / 케이스

SOT-23-3 Flat Leads

AOWF11N70

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

700V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

870mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2150pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

28W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

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Infineon Technologies

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A (Ta), 90A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 97µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

73nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5700pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.2W (Ta), 78W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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MX25V1635FZNI

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