IXXH30N60B3D1
참조 용
| 부품 번호 | IXXH30N60B3D1 |
| PNEDA 부품 번호 | IXXH30N60B3D1 |
| 설명 | IGBT 600V 60A 270W TO247 |
| 제조업체 | IXYS |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,856 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 25 - 1월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IXXH30N60B3D1 리소스
| 브랜드 | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IXXH30N60B3D1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-IGBT-단일 |
| 데이터 시트 |
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IXXH30N60B3D1 사양
| 제조업체 | IXYS |
| 시리즈 | GenX3™, XPT™ |
| IGBT 유형 | PT |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 600V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 60A |
| 전류-수집기 펄스 (Icm) | 115A |
| Vce (on) (최대) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 24A |
| 전력-최대 | 270W |
| 에너지 전환 | 550µJ (on), 500µJ (off) |
| 입력 유형 | Standard |
| 게이트 차지 | 39nC |
| Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C | 23ns/97ns |
| 테스트 조건 | 400V, 24A, 10Ohm, 15V |
| 역 복구 시간 (trr) | 25ns |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-247 (IXXH) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 IXYS 시리즈 - IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 3000V 전류-수집기 (Ic) (최대) 22A 전류-수집기 펄스 (Icm) 103A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 20A 전력-최대 100W 에너지 전환 - 입력 유형 Standard 게이트 차지 31nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C - 테스트 조건 - 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 i4-Pac™-5 (3 Leads) 공급자 장치 패키지 ISOPLUS i4-PAC™ |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 34A 전류-수집기 펄스 (Icm) 68A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 18A 전력-최대 100W 에너지 전환 260µJ (on), 3.45mJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 50nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 22ns/540ns 테스트 조건 480V, 18A, 23Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220AB |
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - IGBT 유형 Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 650V 전류-수집기 (Ic) (최대) 30A 전류-수집기 펄스 (Icm) 45A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A 전력-최대 133W 에너지 전환 - 입력 유형 Standard 게이트 차지 32nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 18ns/64ns 테스트 조건 400V, 15A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) 55ns 작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지 LPDS (TO-263S) |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 POWER MOS 8™ IGBT 유형 PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 183A 전류-수집기 펄스 (Icm) 307A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 62A 전력-최대 780W 에너지 전환 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 294nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 28ns/212ns 테스트 조건 400V, 62A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지 - |
