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IXXK160N65C4

IXXK160N65C4

참조 용

부품 번호 IXXK160N65C4
PNEDA 부품 번호 IXXK160N65C4
설명 IGBT 650V 290A 940W TO264
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 2,898
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 9 - 4월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXXK160N65C4 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXXK160N65C4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXXK160N65C4, IXXK160N65C4 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 210.89 KB)
PDFIXXX160N65C4 데이터 시트 표지
IXXX160N65C4 데이터 시트 페이지 2 IXXX160N65C4 데이터 시트 페이지 3 IXXX160N65C4 데이터 시트 페이지 4 IXXX160N65C4 데이터 시트 페이지 5 IXXX160N65C4 데이터 시트 페이지 6

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IXXK160N65C4 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX4™, XPT™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)290A
전류-수집기 펄스 (Icm)800A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 160A
전력-최대940W
에너지 전환3.5mJ (on), 1.3mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지422nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C52ns/197ns
테스트 조건400V, 80A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지TO-264 (IXXK)

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 15A

전력-최대

115W

에너지 전환

543µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

90nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/229ns

테스트 조건

600V, 15A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

FGB5N60UNDF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전류-수집기 펄스 (Icm)

15A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 5A

전력-최대

73.5W

에너지 전환

80µJ (on), 70µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

12.1nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

5.4ns/25.4ns

테스트 조건

400V, 5A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB (D²PAK)

GA35XCP12-247

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제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

35A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 35A

전력-최대

-

에너지 전환

2.66mJ (on), 4.35mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

50nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

800V, 35A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

36ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AB

RGW60TK65GVC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

33A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

전력-최대

72W

에너지 전환

480µJ (on), 490µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

84nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

37ns/114ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-3PFM

IRG7PH35UDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

전력-최대

180W

에너지 전환

1.06mJ (on), 620µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

85nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/160ns

테스트 조건

600V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

105ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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