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IXXX200N65B4

IXXX200N65B4

참조 용

부품 번호 IXXX200N65B4
PNEDA 부품 번호 IXXX200N65B4
설명 IGBT 650V 370A 1150W PLUS247
제조업체 IXYS
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IXXX200N65B4 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXXX200N65B4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXXX200N65B4, IXXX200N65B4 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 233.13 KB)
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IXXX200N65B4 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX4™, XPT™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)370A
전류-수집기 펄스 (Icm)1000A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 160A
전력-최대1150W
에너지 전환4.4mJ (on), 2.2mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지553nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C62ns/245ns
테스트 조건400V, 100A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지PLUS247™-3

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ON Semiconductor

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

전력-최대

268W

에너지 전환

180µJ (on), 45µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

99nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/105ns

테스트 조건

400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

31ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

APT25GP120BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

69A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 25A

전력-최대

417W

에너지 전환

500µJ (on), 438µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

110nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/70ns

테스트 조건

600V, 25A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

STGB20NB37LZT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

425V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 4.5V, 20A

전력-최대

200W

에너지 전환

11.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

51nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

2.3µs/2µs

테스트 조건

250V, 20A, 1kOhm, 4.5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IRGB4060DPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

32A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 8A

전력-최대

99W

에너지 전환

70µJ (on), 145µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

19nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/95ns

테스트 조건

400V, 8A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 60A

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에너지 전환

920µJ (on), 530µJ (off)

입력 유형

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게이트 차지

95nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

42ns/142ns

테스트 조건

400V, 60A, 7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

205ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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