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IXYH10N170CV1

IXYH10N170CV1

참조 용

부품 번호 IXYH10N170CV1
PNEDA 부품 번호 IXYH10N170CV1
설명 IGBT 1.7KV 36A TO247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 7,248
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXYH10N170CV1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXYH10N170CV1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXYH10N170CV1, IXYH10N170CV1 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 214.95 KB)
PDFIXYH10N170CV1 데이터 시트 표지
IXYH10N170CV1 데이터 시트 페이지 2 IXYH10N170CV1 데이터 시트 페이지 3 IXYH10N170CV1 데이터 시트 페이지 4 IXYH10N170CV1 데이터 시트 페이지 5 IXYH10N170CV1 데이터 시트 페이지 6 IXYH10N170CV1 데이터 시트 페이지 7

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IXYH10N170CV1 사양

제조업체IXYS
시리즈XPT™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1700V
전류-수집기 (Ic) (최대)36A
전류-수집기 펄스 (Icm)84A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.8V @ 15V, 10A
전력-최대280W
에너지 전환1.4mJ (on), 700µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지46nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C14ns/130ns
테스트 조건850V, 10A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)160ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247 (IXYH)

관심을 가질만한 제품

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 30A

전력-최대

300W

에너지 전환

3.47mJ (on), 2.16mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

87nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/127ns

테스트 조건

960V, 30A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263 (IXGA)

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

230A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 32A

전력-최대

300W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

89nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

RGW60TS65DGC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

전력-최대

178W

에너지 전환

480µJ (on), 490µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

84nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

37ns/114ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

92ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247N

STGW40N120KD

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.85V @ 15V, 30A

전력-최대

240W

에너지 전환

3.7mJ (on), 5.7mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

126nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

48ns/338ns

테스트 조건

960V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

84ns

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

GT60N321(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 60A

전력-최대

170W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

330ns/700ns

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

2.5µs

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3PL

공급자 장치 패키지

TO-3P(LH)

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DIODE SCHOTTKY 40V SOD123

24LC512T-I/SN

24LC512T-I/SN

Microchip Technology

IC EEPROM 512K I2C 400KHZ 8SOIC

F951E106MAAAQ2

F951E106MAAAQ2

CAP TANT 10UF 20% 25V 1206