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IXYX40N250CHV

IXYX40N250CHV

참조 용

부품 번호 IXYX40N250CHV
PNEDA 부품 번호 IXYX40N250CHV
설명 IGBT 2.5KV 70A TO247HV
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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예상 배송 2월 11 - 2월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXYX40N250CHV 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXYX40N250CHV
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXYX40N250CHV, IXYX40N250CHV 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 197.99 KB)
PDFIXYX40N250CHV 데이터 시트 표지
IXYX40N250CHV 데이터 시트 페이지 2 IXYX40N250CHV 데이터 시트 페이지 3 IXYX40N250CHV 데이터 시트 페이지 4 IXYX40N250CHV 데이터 시트 페이지 5 IXYX40N250CHV 데이터 시트 페이지 6

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IXYX40N250CHV 사양

제조업체IXYS
시리즈XPT™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)2500V
전류-수집기 (Ic) (최대)70A
전류-수집기 펄스 (Icm)380A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic4V @ 15V, 40A
전력-최대1500W
에너지 전환11.7mJ (on), 6.9mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지270nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C21ns/200ns
테스트 조건1250V, 40A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지TO-247PLUS-HV

관심을 가질만한 제품

제조업체

IXYS

시리즈

XPT™, GenX3™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

410A

전류-수집기 펄스 (Icm)

1100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 100A

전력-최대

1560W

에너지 전환

5mJ (on), 4mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

340nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/370ns

테스트 조건

400V, 100A, 0Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

108ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

5V @ 15V, 8A

전력-최대

120W

에너지 전환

900µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

65nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

36ns/200ns

테스트 조건

850V, 16A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

150ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUS247™

공급자 장치 패키지

ISOPLUS247™

STGP3NC120HD

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

20A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 3A

전력-최대

75W

에너지 전환

236µJ (on), 290µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

24nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/118ns

테스트 조건

800V, 3A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

51ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

APT15GP60KG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

56A

전류-수집기 펄스 (Icm)

65A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 15A

전력-최대

250W

에너지 전환

130µJ (on), 121µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

55nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

8ns/29ns

테스트 조건

400V, 15A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220 [K]

IXDT30N120

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 30A

전력-최대

300W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

최근 판매

MD918A

MD918A

Central Semiconductor Corp

TRANS 2NPN 50MA 15V TO78-6

SMAJ150CA-E3/61

SMAJ150CA-E3/61

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 150V 243V DO214AC

SMAJ36A

SMAJ36A

Bourns

TVS DIODE 36V 58.1V SMA

S3A-13-F

S3A-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 50V 3A SMC

LTC1844ES5-2.5#TRMPBF

LTC1844ES5-2.5#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LIN 2.5V 150MA TSOT23-5

PIC12F1822-I/SN

PIC12F1822-I/SN

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 3.5KB FLASH 8SOIC

VS-30BQ040TRPBF

VS-30BQ040TRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC

ADM6996MX-AD-T-1

ADM6996MX-AD-T-1

Infineon Technologies

IC SWITCH ETHER 5PORT 128-FQFP

TAJD686K016RNJ

TAJD686K016RNJ

CAP TANT 68UF 10% 16V 2917

MT25QL256ABA8ESF-0SIT

MT25QL256ABA8ESF-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2

ULN2003ADR2G

ULN2003ADR2G

ON Semiconductor

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO

SP0503BAHT

SP0503BAHT

Littelfuse

TVS DIODE 5.5V 8.5V SOT143-4