IXZ631DF18N50
참조 용
| 부품 번호 | IXZ631DF18N50 |
| PNEDA 부품 번호 | IXZ631DF18N50 |
| 설명 | 500V 18A INTEGRATED POWER MOSFET |
| 제조업체 | IXYS-RF |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,562 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 7 - 3월 12 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IXZ631DF18N50 리소스
| 브랜드 | IXYS-RF |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IXZ631DF18N50 |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
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IXZ631DF18N50 사양
| 제조업체 | IXYS-RF |
| 시리즈 | - |
| 구동 구성 | Low-Side |
| 채널 유형 | Single |
| 드라이버 수 | 1 |
| 게이트 유형 | N-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 8V ~ 18V |
| 논리 전압-VIL, VIH | 0.8V, 3.5V |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | 95A, 95A |
| 입력 유형 | Non-Inverting |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | 500V |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 3.4ns, 1.65ns |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 10-SMD, Flat Lead |
| 공급자 장치 패키지 | 10-SMD |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Synchronous 드라이버 수 2 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 4.6V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) - 입력 유형 Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 35V 상승 / 하강 시간 (일반) 20ns, 11ns 작동 온도 -20°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-DFN (3x3) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 60mA, 130mA 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 600V 상승 / 하강 시간 (일반) 200ns, 100ns 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
