J112-D27Z
참조 용
| 부품 번호 | J112-D27Z |
| PNEDA 부품 번호 | J112-D27Z |
| 설명 | JFET N-CH 35V 625MW TO92 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,452 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 28 - 4월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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J112-D27Z 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | J112-D27Z |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-JFET |
| 데이터 시트 |
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J112-D27Z 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 전압-항복 (V (BR) GSS) | 35V |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5mA @ 15V |
| 전류 드레인 (Id)-최대 | - |
| 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id | 1V @ 1µA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 저항-RDS (켜짐) | 50 Ohms |
| 전력-최대 | 625mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| 공급자 장치 패키지 | TO-92-3 |
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|
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 40V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 30mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 5V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 16pF @ 20V 저항-RDS (켜짐) 30 Ohms 전력-최대 625mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 40V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 15mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 2V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 16pF @ 20V 저항-RDS (켜짐) 50 Ohms 전력-최대 625mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 40V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 1V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 350mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) - 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1.2mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대 10mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 180mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4pF @ 10V 저항-RDS (켜짐) 200 Ohms 전력-최대 100mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 3-XFDFN 공급자 장치 패키지 3-ECSP1006 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 100µA @ 2V 전류 드레인 (Id)-최대 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 100mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3.1pF @ 2V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 100mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 VTFP |
