J112
참조 용
| 부품 번호 | J112 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | J112_105 | ||||||||||||||||||
| 설명 | JFET N-CHAN 35V TO92 | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Central Semiconductor Corp | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 51,587 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 3월 26 - 3월 31 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
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J112 리소스
| 브랜드 | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | J112 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-JFET |
| 데이터 시트 |
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J112 사양
| 제조업체 | Central Semiconductor Corp |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 전압-항복 (V (BR) GSS) | 35V |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5mA @ 15V |
| 전류 드레인 (Id)-최대 | - |
| 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id | 5V @ 1µA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5pF @ 10V (VGS) |
| 저항-RDS (켜짐) | 50 Ohms |
| 전력-최대 | 350mW |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 공급자 장치 패키지 | TO-92 |
관심을 가질만한 제품
|
제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - FET 유형 P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 30V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 1V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 저항-RDS (켜짐) 250 Ohms 전력-최대 350mW 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 40V 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 50mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 4V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14pF @ 20V 저항-RDS (켜짐) 30 Ohms 전력-최대 250mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23 (TO-236AB) |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 50V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 600µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대 6.5mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 400mV @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8.2pF @ 10V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 100mW 작동 온도 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SC-59 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 20V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 100µA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 600mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3.5pF @ 5V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 150mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 * FET 유형 - 전압-항복 (V (BR) GSS) - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) - 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
