J113
참조 용
| 부품 번호 | J113 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | J113 | ||||||||||||||||||
| 설명 | JFET N-CH 35V 625MW TO92 | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 26,631 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 2월 3 - 2월 8 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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J113 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | J113 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-JFET |
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J113 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 전압-항복 (V (BR) GSS) | 35V |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 2mA @ 15V |
| 전류 드레인 (Id)-최대 | - |
| 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id | 500mV @ 1µA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 저항-RDS (켜짐) | 100 Ohms |
| 전력-최대 | 625mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 공급자 장치 패키지 | TO-92-3 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 30V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 30µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 1.7V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 140µA @ 2V 전류 드레인 (Id)-최대 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 100mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3.1pF @ 2V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 30mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 3-USFP |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 30V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 5V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 45pF @ 15V 저항-RDS (켜짐) 150 Ohms 전력-최대 350mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 2 N-Channel (Dual) 전압-항복 (V (BR) GSS) 25V 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 20mA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대 50mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 600mV @ 100µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6pF @ 5V 저항-RDS (켜짐) 78 mOhms 전력-최대 700mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 6-CPH |
제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 40V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 150mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대 100pA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 10V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14pF @ 20V 저항-RDS (켜짐) 30 Ohms 전력-최대 1.8W 작동 온도 -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-18 |
