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J113-D74Z

J113-D74Z

참조 용

부품 번호 J113-D74Z
PNEDA 부품 번호 J113-D74Z
설명 JFET N-CH 35V 625MW TO92
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 108,066
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 22 - 6월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

J113-D74Z 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호J113-D74Z
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
J113-D74Z, J113-D74Z 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 414.38 KB)
PDFMMBFJ111 데이터 시트 표지
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J113-D74Z 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)35V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)2mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id500mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
저항-RDS (켜짐)100 Ohms
전력-최대625mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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전류 드레인 (Id)-최대

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전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

800mV @ 0.5nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

18pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

60 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

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15V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

50mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

600mV @ 100µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

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전력-최대

300mW

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

140µA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

1mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

200mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3.5pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

100mW

작동 온도

-

장착 유형

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제조업체

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30µA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

600mV @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

400mV @ 100nA

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