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J212

J212

참조 용

부품 번호 J212
PNEDA 부품 번호 J212
설명 JFET N-CH 25V 40MA TO92
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,106
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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J212 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호J212
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
J212, J212 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 199.31 KB)
PDFMMBFJ210 데이터 시트 표지
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J212 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel JFET
주파수-
이득-
전압-테스트-
전류 정격 (Amps)40mA
소음 수치-
현재-테스트-
전원-출력-
전압-정격25V
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

728MHz ~ 3.6GHz

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

28.8dBm

전압-정격

28V

패키지 / 케이스

16-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

16-DFN (4x6)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.39GHz

이득

15.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

28W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-880S

공급자 장치 패키지

NI-880S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

19.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.5A

전원-출력

33W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

17.9dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

700mA

전원-출력

90W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

BLF6G27-100,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

-

이득

-

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

29A

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

14W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

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