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JAN1N3339B

JAN1N3339B

참조 용

부품 번호 JAN1N3339B
PNEDA 부품 번호 JAN1N3339B
설명 DIODE ZENER 50W DO-203AB
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,912
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 21 - 1월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JAN1N3339B 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JAN1N3339B
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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JAN1N3339B 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)91V
공차±5%
전력-최대50W
임피던스 (최대) (Zzt)15 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 69.2V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 10A
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Stud Mount
패키지 / 케이스DO-203AB, DO-5, Stud
공급자 장치 패키지DO-203AB

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

11V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

8 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 8.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

BZX79-B10,113

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

10V

공차

±2%

전력-최대

400mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

ALF2

CZRL5242B-G

Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

12V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 9.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 200mA

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

공급자 장치 패키지

SOD-80 MiniMELF

2EZ18D/TR12

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

18V

공차

±20%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 13.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

NZX20A,133

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

20V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

60 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 14V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

ALF2

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