JAN1N4249
참조 용
| 부품 번호 | JAN1N4249 |
| PNEDA 부품 번호 | JAN1N4249 |
| 설명 | DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,464 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 20 - 12월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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JAN1N4249 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | JAN1N4249 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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JAN1N4249 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | Military, MIL-PRF-19500/286 |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 1000V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 1A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.3V @ 3A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 5µs |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 1µA @ 1000V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | A, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | - |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 80µA @ 650V 커패시턴스 @ Vr, F 414pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지 DPAK 작동 온도-접합 -40°C ~ 175°C |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/260 다이오드 유형 Standard, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1000V 전류-평균 정류 (Io) 12A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.35V @ 38A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AA, DO-4, Stud 공급자 장치 패키지 DO-203AA (DO-4) 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 500mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 100mA 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 25nA @ 175V 커패시턴스 @ Vr, F 6pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 작동 온도-접합 175°C (Max) |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.05V @ 2A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr 2µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F 42pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AA, SMB 공급자 장치 패키지 DO-214AA (SMB) 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 11A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 200µA @ 650V 커패시턴스 @ Vr, F 463pF @ 1V, 100kHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 TO-247-3 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
