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JAN1N4465D

JAN1N4465D

참조 용

부품 번호 JAN1N4465D
PNEDA 부품 번호 JAN1N4465D
설명 DIODE ZENER 10V 1.5W DO41
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,472
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JAN1N4465D 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JAN1N4465D
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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JAN1N4465D 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/406
전압-제너 (Nom) (Vz)10V
공차±1%
전력-최대1.5W
임피던스 (최대) (Zzt)5 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr300nA @ 8V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-41

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

JANTXV1N3020BUR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/115

전압-제너 (Nom) (Vz)

10V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

7 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 7.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AB (MELF, LL41)

1N5379AE3/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

110V

공차

±10%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

125 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 79.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

1N707A

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

7.1V

공차

±10%

전력-최대

250mW

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 7.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

BZD27C130P MHG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

132.5V

공차

±6.41%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

300 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 100V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

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