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JAN1N4476US

JAN1N4476US

참조 용

부품 번호 JAN1N4476US
PNEDA 부품 번호 JAN1N4476US_81
설명 30V ZENER 1.5W
제조업체 Semtech
단가 견적 요청
재고 있음 4,536
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 19 - 4월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JAN1N4476US 리소스

브랜드 Semtech
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JAN1N4476US
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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JAN1N4476US 사양

제조업체Semtech Corporation
시리즈*
전압-제너 (Nom) (Vz)-
공차-
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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제조업체

Microsemi Corporation

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전압-제너 (Nom) (Vz)

68V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

150 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 51.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AB (MELF, LL41)

CDLL754A

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.8V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

DO-213AB

UDZVTE-1710B

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

10V

공차

-

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-90, SOD-323F

공급자 장치 패키지

UMD2

1N5261B A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

47V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

105 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 36V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

100°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

1N4763A A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

91V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

250 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 69.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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